| 型号： | MMBTA13-7 | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | TRANSISTOR NPN DARL 30V SOT23-3 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| MMBTA13-7 PDF |  |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 300mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 1.5V @ 100µA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 10000 @ 100mA，5V |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 频率 - 转换 | 125MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | MMBTA13CT MMBTA13CT-ND MMBTA13DICT |